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武漢華工激光工程有限責任公司
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本設備針對8英寸及以上芯片封測廠，應用于半導體行業硅基晶圓激光改質切割。 重復定位精度 ±1μm 加工頭 自制準直頭 晶圓尺寸 8 inch（可兼容12inch）
表面無損傷，無切縫，崩邊極小（≤2μm），邊沿蜿蜒小（<3μm）
可采用多焦點改質模式，成倍提高切割效率
激光器平均功率穩定性高（≤±3% over 24 hours），光束質量高（M2 <1.5)
| 內容 | 主要技術參數 | |
| 激光器參數 | 中心波長 | 定制紅外波長 |
| 加工頭 | 自制準直頭 | |
| 加工性能 | 有效工作行程 | 300×400mm（選配） |
| 重復定位精度 | ± 1 μm | |
| 視覺定位 | 自動視覺定位 | |
| 加工方式 | 逐層改質、單點/多點加工方式 | |
| 其他 | 晶圓尺寸 | 8 inch（可兼容12inch） |
| 工藝流程 | 激光改質切割— 擴膜 | |
| 加工對象 | MEMS芯片 、硅基生物芯片 、硅麥芯片、CMOS芯片等 | |
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